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GE10MPS06A

廠家:
  GeneSiC Semiconductor
封裝:
 TO-220-2
數(shù)量:
 5351  
說明:
 DIODE SIL CARB 650V 19A TO220-2
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GE10MPS06A-TO-220-2圖片

GE10MPS06A PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝:TO-220-2
封裝/外殼:TO-220-2
安裝類型:通孔
不同?Vr、F 時(shí)電容:466pF @ 1V,1MHz
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏:-
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):-
速度:無恢復(fù)時(shí)間 > 500mA(Io)
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf):-
電流 - 平均整流 (Io):19A
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V
技術(shù):SiC(Silicon Carbide)Schottky
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:SiC Schottky MPS?
系列:管件
品牌:GeneSiC Semiconductor

以上是GE10MPS06A的詳細(xì)信息,包括GE10MPS06A廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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