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GE04MPS06E

廠家：: GeneSiC Semiconductor
封裝：: TO-252-2
數(shù)量：: 10739
說明：: DIODE SIL CARB 650V 11A TO252-2

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GE04MPS06E PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：TO-252-2
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時(shí)電容：186pF @ 1V，1MHz
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏：5 μA @ 650 V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：0 ns
速度：無恢復(fù)時(shí)間 > 500mA（Io）
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf)：1.35 V @ 4 A
電流 - 平均整流 (Io)：11A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V
技術(shù)：SiC（Silicon Carbide）Schottky
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：SiC Schottky MPS?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：GeneSiC Semiconductor

以上是GE04MPS06E的詳細(xì)信息，包括GE04MPS06E廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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