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GD10MPS12E

廠家:
  GeneSiC Semiconductor
封裝:
 TO-252-2
數(shù)量:
 7767  
說明:
 DIODE SIL CARB 1.2KV 29A TO252-2
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GD10MPS12E-TO-252-2圖片

GD10MPS12E PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝:TO-252-2
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
安裝類型:表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容:367pF @ 1V,1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:5 μA @ 1200 V
反向恢復(fù)時間 (trr):0 ns
速度:無恢復(fù)時間 > 500mA(Io)
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):1.8 V @ 10 A
電流 - 平均整流 (Io):29A
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V
技術(shù):SiC(Silicon Carbide)Schottky
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:SiC Schottky MPS?
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:GeneSiC Semiconductor

以上是GD10MPS12E的詳細信息,包括GD10MPS12E廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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