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GBU803H

廠家:
  Taiwan Semiconductor Corporation
封裝:
 4-ESIP,GBU
數(shù)量:
 5814  
說明:
 DIODE BRIDGE 8A 200V GBU
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GBU803H-4-ESIP,GBU圖片

GBU803H PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:
封裝:GBU
封裝/外殼:4-ESIP,GBU
安裝類型:通孔
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏:5 μA @ 200 V
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf):1.1 V @ 8 A
電流 - 平均整流 (Io):8 A
電壓 - 峰值反向(最大值):200 V
技術(shù):標(biāo)準(zhǔn)
二極管類型:Single Phase
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:Automotive, AEC-Q101
系列:管件
品牌:Taiwan Semiconductor Corporation

以上是GBU803H的詳細(xì)信息,包括GBU803H廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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