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GB02SHT01-46

廠家：: GeneSiC Semiconductor
封裝：: TO-46
數(shù)量：: 4857
說明：: DIODE SIL CARBIDE 100V 4A TO46

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GB02SHT01-46 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：TO-46
封裝/外殼：TO-206AB，TO-46-3 金屬罐
安裝類型：通孔
不同?Vr、F 時電容：76pF @ 1V，1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：5 μA @ 100 V
反向恢復(fù)時間 (trr)：0 ns
速度：無恢復(fù)時間 > 500mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.6 V @ 1 A
電流 - 平均整流 (Io)：4A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：100 V
技術(shù)：SiC（Silicon Carbide）Schottky
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：散裝
品牌：GeneSiC Semiconductor

以上是GB02SHT01-46的詳細信息，包括GB02SHT01-46廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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