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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：-
封裝/外殼：軸向
安裝類型：通孔
不同?Vr、F 時(shí)電容：25pF @ 1V，1MHz
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏：3.8 μA @ 8000 V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：0 ns
速度：無恢復(fù)時(shí)間 > 500mA（Io）
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf)：4.6 V @ 50 mA
電流 - 平均整流 (Io)：50mA
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：8000 V
技術(shù)：SiC（Silicon Carbide）Schottky
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：管件
品牌：GeneSiC Semiconductor

以上是GAP05SLT80-220的詳細(xì)信息，包括GAP05SLT80-220廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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