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中文參數(shù)如下:
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝:-
封裝/外殼:軸向
安裝類型:通孔
不同?Vr、F 時(shí)電容:25pF @ 1V,1MHz
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏:3.8 μA @ 8000 V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):0 ns
速度:無恢復(fù)時(shí)間 > 500mA(Io)
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf):4.6 V @ 50 mA
電流 - 平均整流 (Io):50mA
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):8000 V
技術(shù):SiC(Silicon Carbide)Schottky
產(chǎn)品狀態(tài):停產(chǎn)
包裝:-
系列:管件
品牌:GeneSiC Semiconductor
以上是GAP05SLT80-220的詳細(xì)信息,包括GAP05SLT80-220廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!