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FZ400R12KE3B1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 62 mm
數(shù)量：: 315
說(shuō)明：: IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 650A

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FZ400R12KE3B1 PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：10
安裝風(fēng)格：Screw
最小工作溫度：- 40 C
柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V
封裝形式：62 mm
最大工作溫度：+ 125 C
在25 C的連續(xù)集電極電流：650 A
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V
配置：Single Dual Collector Dual Emitter
產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules
制造商：Infineon

以上是FZ400R12KE3B1的詳細(xì)信息，包括FZ400R12KE3B1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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