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FZ1200R33KF2

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: IHM130
數量：: 8784
說明：: IGBT 模塊 U 641-FZ1200R33KF2C

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FZ1200R33KF2 PDF參數資料

中文參數如下：

工廠包裝數量：2
安裝風格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 40 C
柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V
封裝形式：IHM130
最大工作溫度：+ 125 C
功率耗散：14.7 KW
柵極—射極漏泄電流：400 nA
在25 C的連續(xù)集電極電流：2000 A
集電極—射極飽和電壓：3.4 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：3300 V
配置：Triple Common Emitter Common Gate
產品：IGBT Silicon Modules
RoHS：否
制造商：Infineon

以上是FZ1200R33KF2的詳細信息，包括FZ1200R33KF2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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