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FSBB20CH60F

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 27-PowerDIP 模塊(1.205",30.60mm)
數(shù)量:
 8595  
說(shuō)明:
 IGBT 模塊 HIGH VOLTAGE
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FSBB20CH60F-27-PowerDIP 模塊(1.205

FSBB20CH60F PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:10
安裝風(fēng)格:Through Hole
最小工作溫度:- 20 C
包裝形式:Tube
封裝形式:SPM27-CA
最大工作溫度:+ 125 C
功率耗散:61 W
柵極—射極漏泄電流:250 uA
在25 C的連續(xù)集電極電流:20 A
集電極—射極飽和電壓:2.3 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V
配置:3-Phase
產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules
RoHS:是
產(chǎn)品種類:IGBT 模塊
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FSBB20CH60F的詳細(xì)信息,包括FSBB20CH60F廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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