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FP75R12KT3BOSA1

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 模塊
數(shù)量:
 6010  
說明:
 IGBT MOD 1200V 105A 355W
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FP75R12KT3BOSA1-模塊圖片

FP75R12KT3BOSA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝封裝封裝/外殼:模塊
安裝類型:底座安裝
工作溫度:-40°C ~ 125°C
NTC 熱敏電阻:是
輸入:標準
不同?Vce 時輸入電容 (Cies):5.3 nF @ 25 V
電流 - 集電極截止(最大值):1 mA
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,75A
功率 - 最大值:355 W
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):105 A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V
配置:三相反相器
IGBT 類型:溝槽型場截止
產品狀態(tài):在售
包裝:EconoPIM? 3
系列:托盤
品牌:Infineon Technologies

以上是FP75R12KT3BOSA1的詳細信息,包括FP75R12KT3BOSA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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