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FP25R12KT4_B15

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 Module
數(shù)量:
 5988  
說明:
 IGBT 模塊 IGBT Module 25A 1200V
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FP25R12KT4_B15-Module圖片

FP25R12KT4_B15 PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最小工作溫度:- 40 C
柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V
封裝形式:Module
最大工作溫度:+ 150 C
功率耗散:160 W
柵極—射極漏泄電流:100 nA
集電極—射極飽和電壓:1.85 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V
配置:Dual Modules
產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules
RoHS:是
制造商:Infineon

以上是FP25R12KT4_B15的詳細信息,包括FP25R12KT4_B15廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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