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FMG2G150US60E

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 7PM-GA
數(shù)量:
 369  
說(shuō)明:
 IGBT 模塊 600V/150A/Module
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FMG2G150US60E-7PM-GA圖片

FMG2G150US60E PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號(hào)別名:FMG2G150US60E_NL
工廠包裝數(shù)量:15
安裝風(fēng)格:Screw
最小工作溫度:- 40 C
柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V
包裝形式:Bulk
封裝形式:7PM-GA
最大工作溫度:+ 150 C
功率耗散:500 W
柵極—射極漏泄電流:+/- 100 nA
在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A
集電極—射極飽和電壓:2.2 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V
配置:Dual
產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules
RoHS:是
產(chǎn)品種類:IGBT 模塊
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FMG2G150US60E的詳細(xì)信息,包括FMG2G150US60E廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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