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FGL60N100BNTD

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-264-3
數(shù)量：: 6894
說明：: IGBT 晶體管 HIGH_POWER

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FGL60N100BNTD PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：FGL60N100BNTD_NL
工廠包裝數(shù)量：25
安裝風(fēng)格：Through Hole
最小工作溫度：- 55 C
集電極最大連續(xù)電流 Ic：60 A
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-264-3
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：180 W
柵極—射極漏泄電流：+/- 500 nA
在25 C的連續(xù)集電極電流：60 A
柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 25 V
集電極—射極飽和電壓：1.5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1000 V
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FGL60N100BNTD的詳細(xì)信息，包括FGL60N100BNTD廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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