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FGA30S120P

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-3PN
數(shù)量:
 6750  
說(shuō)明:
 IGBT 晶體管 Shorted AnodeTM IGBT
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FGA30S120P-TO-3PN圖片

FGA30S120P PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:30
安裝風(fēng)格:Through Hole
最小工作溫度:- 55 C
集電極最大連續(xù)電流 Ic:60 A
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-3PN
最大工作溫度:+ 175 C
功率耗散:174 W
柵極—射極漏泄電流:500 nA
在25 C的連續(xù)集電極電流:60 A
柵極/發(fā)射極最大電壓:25 V
集電極—射極飽和電壓:2.3 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1300 V
配置:Single
RoHS:是
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FGA30S120P的詳細(xì)信息,包括FGA30S120P廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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