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FFSM0665B

廠家：: onsemi
封裝：: 4-PQFN（8x8）
數(shù)量：: 6786
說明：: DIODE SIL CARB 650V 9.1A 4PQFN

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FFSM0665B PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：4-PQFN（8x8）
封裝/外殼：4-PowerTSFN
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容：259pF @ 1V，100kHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：40 μA @ 650 V
反向恢復(fù)時間 (trr)：0 ns
速度：無恢復(fù)時間 > 500mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 6 A
電流 - 平均整流 (Io)：9.1A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V
技術(shù)：SiC（Silicon Carbide）Schottky
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：onsemi

以上是FFSM0665B的詳細信息，包括FFSM0665B廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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