日韩精品在线免费播放-午夜激情网址-日韩黄色一区-91网站免费在线观看-www黄色com-福利网站在线观看-欧美一区二区三区大片-久久久久久久久久久久久久国产-成人理论片-2020亚洲天堂-黄色成人91-毛片视频免费观看-一区二区黄色片-91亚洲精品在线-国产免费看av-黄色一级淫片-国产一级理论片

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > IGBT 模塊 > FF200R12KS4

FF200R12KS4

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 62 mm
數(shù)量：: 711
說明：: IGBT 模塊 1200V 200A DUAL

一、本商品被瀏覽0次.

FF200R12KS4 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：500
安裝風格：Screw
最小工作溫度：- 40 C
柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V
封裝形式：62 mm
最大工作溫度：+ 125 C
功率耗散：1.4 KW
柵極—射極漏泄電流：400 nA
在25 C的連續(xù)集電極電流：275 A
集電極—射極飽和電壓：3.2 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V
配置：Dual
產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules
RoHS：否
產(chǎn)品種類：IGBT 模塊
制造商：Infineon

以上是FF200R12KS4的詳細信息，包括FF200R12KS4廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

最新產(chǎn)品：

SG-8018CG 22.5792M-TJHPA0

SW3-040120AN1HF