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FES6J

廠家：: onsemi
封裝：: TO-277-3
數(shù)量：: 6714
說明：: DIODE GEN PURP 600V 6A TO277-3

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FES6J PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：TO-277-3
封裝/外殼：TO-277，3-PowerDFN
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容：45pF @ 4V，1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：2 μA @ 600 V
反向恢復(fù)時間 (trr)：25 ns
速度：標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：2.2 V @ 6 A
電流 - 平均整流 (Io)：6A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V
技術(shù)：標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：onsemi

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