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FDT86113LZ

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-261-4，TO-261AA
數(shù)量：: 65510
說明：: MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDT86113LZ PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：10 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時間：1.3 ns
功率耗散：2.2 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：4.1 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：8 S
下降時間：1.5 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-223
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：100 mOhms
漏極連續(xù)電流：3.3 A
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDT86113LZ的詳細信息，包括FDT86113LZ廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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