FDS6675BZ

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
數(shù)量：: 38914
說明：: MOSFET -30V P-Channel PwrTrch MOSFET

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FDS6675BZ PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：120 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時間：7.8 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：34 S
下降時間：60 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0108 Ohms
漏極連續(xù)電流：11 A
閘/源擊穿電壓：+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDS6675BZ的詳細信息，包括FDS6675BZ廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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