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FDS6162N7

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
數(shù)量：
 6678  
說明：
 MOSFET 20V N-Ch PowerTrench
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FDS6162N7-8-SOIC（0.154

FDS6162N7 PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號別名：FDS6162N7_NL
典型關(guān)閉延遲時間：85 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時間：25 ns
功率耗散：3 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ：119 S
下降時間：55 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Seven Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0029 Ohms
漏極連續(xù)電流：23 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDS6162N7的詳細信息，包括FDS6162N7廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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