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FDD3860

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
數(shù)量：: 20042
說明：: MOSFET 100V N-Channel Power Trench

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FDD3860-TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63圖片

FDD3860 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：24 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時間：10 ns
功率耗散：3.1 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：7 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：DPAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.036 Ohms
漏極連續(xù)電流：6.2 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDD3860的詳細信息，包括FDD3860廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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