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FDD2670

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
數(shù)量:
 5886  
說明:
 MOSFET N-CH 200V 18A Q-FET
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FDD2670-TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63圖片

FDD2670 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:FDD2670_NL
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:30 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
上升時(shí)間:8 ns
功率耗散:3.2 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :15 S
下降時(shí)間:25 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-252AA
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.13 Ohms
漏極連續(xù)電流:3.6 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:200 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDD2670的詳細(xì)信息,包括FDD2670廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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