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FDD10N20LZTM

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
數(shù)量：: 6570
說明：: MOSFET 200V N-Channel MOSFET, UniFET

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FDD10N20LZTM-TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63圖片

FDD10N20LZTM PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：2500
功率耗散：56 W
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：8 S
包裝形式：Reel
封裝形式：DPAK
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.3 Ohms
漏極連續(xù)電流：7.6 A
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDD10N20LZTM的詳細(xì)信息，包括FDD10N20LZTM廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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