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FDC855N

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6
數(shù)量：: 5616
說明：: MOSFET 30V Single NCh Logic Level PowerTrench

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FDC855N PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：14 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：2 ns
功率耗散：1600 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：2 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SuperSOT-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：27 mOhms
漏極連續(xù)電流：6.1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDC855N的詳細(xì)信息，包括FDC855N廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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