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FDA38N30

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-3P-3，SC-65-3
數(shù)量：: 13827
說明：: MOSFET UniFET1 300V N-chan MOSFET

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FDA38N30 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：30
功率耗散：312 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：60 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：6.3 S
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-3
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 125 C
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.07 Ohms
漏極連續(xù)電流：38 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：300 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDA38N30的詳細(xì)信息，包括FDA38N30廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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