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FCP190N60E

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-220-3
數(shù)量:
 3363  
說明:
 MOSFET 600V N-CHAN MOSFET
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FCP190N60E-TO-220-3圖片

FCP190N60E PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:101 ns
工廠包裝數(shù)量:400
上升時(shí)間:14 ns
功率耗散:208 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:63 nC
下降時(shí)間:15 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):190 mOhms
漏極連續(xù)電流:20.6 A
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FCP190N60E的詳細(xì)信息,包括FCP190N60E廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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