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F3L30R06W1E3_B11

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 Module
數(shù)量:
 2513  
說明:
 IGBT 模塊 IGBT MODULES 600V 30A
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F3L30R06W1E3_B11-Module圖片

F3L30R06W1E3_B11 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最小工作溫度:- 40 C
柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V
封裝形式:Module
最大工作溫度:+ 150 C
功率耗散:150 W
柵極—射極漏泄電流:400 nA
在25 C的連續(xù)集電極電流:45 A
集電極—射極飽和電壓:1.55 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V
配置:3-Phase
產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules
制造商:Infineon

以上是F3L30R06W1E3_B11的詳細信息,包括F3L30R06W1E3_B11廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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