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E4D20120G

廠家：: Wolfspeed, Inc.
封裝：: TO-263-2
數(shù)量：: 8928
說(shuō)明：: DIODE SIL CARB 1.2KV 56A TO263-2

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E4D20120G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：TO-263-2
封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時(shí)電容：1474pF @ 0V，1MHz
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏：200 μA @ 1200 V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：0 ns
速度：無(wú)恢復(fù)時(shí)間 > 500mA（Io）
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 20 A
電流 - 平均整流 (Io)：56A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V
技術(shù)：SiC（Silicon Carbide）Schottky
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：E-Series, Automotive
系列：管件
品牌：Wolfspeed, Inc.

以上是E4D20120G的詳細(xì)信息，包括E4D20120G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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