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E1780TG65E

廠家：: IXYS
封裝：: -
數(shù)量：: 261
說明：: DIODE GEN PURP 3.6KV 1780A -

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E1780TG65E PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：-
封裝/外殼：TO-200AF
安裝類型：底座安裝
不同?Vr、F 時(shí)電容：-
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏：100 mA @ 3600 V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：1.22 μs
速度：標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf)：3.83 V @ 1.78 kA
電流 - 平均整流 (Io)：1780A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：3600 V
技術(shù)：標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品狀態(tài)：Digi-Key 停止提供
包裝：SONIC-FRD?
系列：盒
品牌：IXYS

以上是E1780TG65E的詳細(xì)信息，包括E1780TG65E廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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