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E1250HC45E

廠家：: IXYS
封裝：: W122
數(shù)量：: 135
說明：: DIODE GEN PURP 4.5KV 1355A W122

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E1250HC45E PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：W122
封裝/外殼：DO-200AD
安裝類型：底座安裝
不同?Vr、F 時電容：-
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：1 mA @ 4500 V
反向恢復(fù)時間 (trr)：1.2 μs
速度：標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：2.07 V @ 1250 A
電流 - 平均整流 (Io)：1355A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：4500 V
技術(shù)：標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品狀態(tài)：Digi-Key 停止提供
包裝：-
系列：盒
品牌：IXYS

以上是E1250HC45E的詳細信息，包括E1250HC45E廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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