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DTC114EBT2L

廠家:
  Rohm Semiconductor
封裝:
 VMN3
數(shù)量:
 1134  
說明:
 TRAN DIGITAL NPN 50V 100MA VMN3
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DTC114EBT2L-VMN3圖片

DTC114EBT2L PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓
電流 - 集電極 (Ic)(最大):50mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
電阻器 - 基極 (R1)(歐):10K
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):10K
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):30 @ 5mA, 5V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA, 10mA
電流 - 集電極截止(最大):500nA
頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz
功率 - 最大:150mW
安裝類型:表面貼裝

以上是DTC114EBT2L的詳細(xì)信息,包括DTC114EBT2L廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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