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DS1230Y-200IND+

廠家:
  Maxim Integrated
封裝:
 28-EDIP
數(shù)量:
 4869  
說明:
 NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
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DS1230Y-200IND+-28-EDIP圖片

DS1230Y-200IND+ PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

零件號(hào)別名:90-1230Y+00I
安裝風(fēng)格:Through Hole
包裝形式:Tube
封裝形式:EDIP
最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 85 C
工作電流:85 mA
電源電壓-最小:4.5 V
電源電壓-最大:5.5 V
訪問時(shí)間:200 ns
接口類型:Parallel
組織:32 K x 8
存儲(chǔ)容量:256 Kbit
數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit
RoHS:是
制造商:Maxim Integrated

以上是DS1230Y-200IND+的詳細(xì)信息,包括DS1230Y-200IND+廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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