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DMN2009LSS-13

廠家：: Diodes Inc.
封裝：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
數(shù)量：: 4932
說(shuō)明：: MOSFET NMOS SINGLE N-CHANNL 20V 12A

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DMN2009LSS-13 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：2500
功率耗散：2000 mW
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：SOP-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.008 Ohms
漏極連續(xù)電流：12 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

以上是DMN2009LSS-13的詳細(xì)信息，包括DMN2009LSS-13廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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