CY7C1570SV18-400BZXC

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 165-FBGA（13x15）
數(shù)量：: 2034
說明：: IC SRAM 72M QDRII+ 165-FBGA

一、本商品被瀏覽0次.

CY7C1570SV18-400BZXC PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
封裝：165-FBGA（13x15）
封裝/外殼：165-LBGA
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：0°C ~ 70°C（TA）
電壓 - 供電：1.7V ~ 1.9V
訪問時(shí)間：-
寫周期時(shí)間 - 字，頁：-
時(shí)鐘頻率：400 MHz
存儲(chǔ)器接口：并聯(lián)
存儲(chǔ)器組織：2M x 36
存儲(chǔ)容量：72Mb
技術(shù)：SRAM - 同步，DDR II+
存儲(chǔ)器格式：SRAM
存儲(chǔ)器類型：易失
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：袋
品牌：Infineon Technologies

以上是CY7C1570SV18-400BZXC的詳細(xì)信息，包括CY7C1570SV18-400BZXC廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他內(nèi)存產(chǎn)品：

NVRAM 閃存動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器可擦除可編程ROM F-RAM

電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器最新產(chǎn)品：

相近型號(hào)推薦

CY7C1570V18-375BZXC
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72M QDRII+ B2 2.5CYCLE READ LTENCY

CY7C1570V18-400BZC
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72M QDRII+ B2 2.5 CYCLE READ LAT

CY7C1570V18-400BZXC
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72M QDRII+, B2 2.5 CYC RD LATENCY

CY7C1570XV18-600BZXC
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (2Mx36) 1.8v 600MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

CY7C1570XV18-633BZXC
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (2Mx36) 1.8v 633MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

CY7C157-18JC

CY7C157-20JC

CY7C161-15VC

CY7C1612KV18-250BZXC
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 CY7C1612KV18-250BZXC

CY7C1612KV18-250BZXI
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 144Mbit QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Word

CY7C1612KV18-300BZC
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 144Mb (8Mx18) QDR II QDR II + 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

CY7C1612KV18-300BZXC
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 144MB (8Mx18) QDR II 1.8V, 300MHz