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CS8312YDR8

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 8-SOIC
數(shù)量：: 3141
說(shuō)明：: IC PREDRIVER IGBT IGNITION 8SOIC

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CS8312YDR8 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
配置低端
輸入類型非反相
延遲時(shí)間30µs
電流 - 峰5mA
配置數(shù)1
輸出數(shù)1
高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）-
電源電壓7 V ~ 10 V
工作溫度-40°C ~ 125°C

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