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BYC30W-1200PQ

廠家：: WeEn Semiconductors
封裝：: TO-247-2
數(shù)量：: 5391
說明：: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247-2

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BYC30W-1200PQ PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：TO-247-2
封裝/外殼：TO-247-2
安裝類型：通孔
不同?Vr、F 時(shí)電容：-
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏：250 μA @ 1200 V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：65 ns
速度：快速恢復(fù) = 200mA（Io）
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf)：3.3 V @ 30 A
電流 - 平均整流 (Io)：30A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V
技術(shù)：標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：WeEn Semiconductors

以上是BYC30W-1200PQ的詳細(xì)信息，包括BYC30W-1200PQ廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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