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BULD1101ET4

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 DPAK
數(shù)量:
 7749  
說明:
 兩極晶體管 - BJT Hi Vltg Fast Swtchng NPN Pwr Transistor
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BULD1101ET4 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:2500
包裝形式:Reel
最大功率耗散:35000 mW
封裝形式:DPAK
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:20
最大直流電集電極電流:3 A
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:12 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:450 V
晶體管極性:NPN
RoHS:是
產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:STMicroelectronics

以上是BULD1101ET4的詳細信息,包括BULD1101ET4廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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