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BU25H08-M3/A

廠家：: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封裝：: 4-SIP，BU
數(shù)量：: 756
說明：: BRIDGE RECT 1P 800V 3.5A BU

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BU25H08-M3/A PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝：isoCINK+? BU
封裝/外殼：4-SIP，BU
安裝類型：通孔
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏：5 μA @ 800 V
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf)：1.05 V @ 12.5 A
電流 - 平均整流 (Io)：3.5 A
電壓 - 峰值反向（最大值）：800 V
技術(shù)：標(biāo)準(zhǔn)
二極管類型：Single Phase
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：isoCink+?
系列：托盤
品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

以上是BU25H08-M3/A的詳細(xì)信息，包括BU25H08-M3/A廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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