中文參數(shù)如下：
工廠包裝數(shù)量：10
安裝風格：Screw
柵極/發(fā)射極最大電壓：20 V
封裝形式：EconoPACK 3A
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：1.4 KW
柵極—射極漏泄電流：200 nA
在25 C的連續(xù)集電極電流：300 A
集電極—射極飽和電壓：2.5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V
配置：Hex
產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules
RoHS：否
產(chǎn)品種類：IGBT 模塊
制造商：Infineon
以上是BSM200GT120DN2的詳細信息，包括BSM200GT120DN2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!
