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BD13610S

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 TO-126-3
數(shù)量：
 10163  
說明：
 兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
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BD13610S-TO-126-3圖片

BD13610S PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
供應(yīng)商器件：
封裝封裝/外殼：TO-225AA，TO-126-3
安裝類型：通孔
工作溫度：150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：-
功率 - 最大值：1.25 W
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：63 @ 150mA，2V
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：45 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：1.5 A
晶體管類型：PNP
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：散裝
品牌：onsemi

以上是BD13610S的詳細(xì)信息，包括BD13610S廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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