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BC858BWT106

廠家：: ROHM Semiconductor
封裝：: UMT3
數(shù)量：: 2556
說明：: 兩極晶體管 - BJT PNP 30V 1MA

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BC858BWT106 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
供應(yīng)商器件：
封裝封裝/外殼：SC-70，SOT-323
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：250MHz
功率 - 最大值：350 mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：210 @ 2mA，5V
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：650mV @ 5mA，100mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：30 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100 mA
晶體管類型：PNP
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

以上是BC858BWT106的詳細信息，包括BC858BWT106廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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