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BC 858B E6327

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 SOT-23
數(shù)量:
 6597  
說明:
 兩極晶體管 - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR
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BC 858B E6327-SOT-23圖片

BC 858B E6327 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:BC858BE6327HTSA1 BC858BE6327XT SP000010634
工廠包裝數(shù)量:3000
包裝形式:Reel
最大功率耗散:330 mW
封裝形式:SOT-23
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:220 at 2 mA at 5 V
增益帶寬產(chǎn)品fT:250 MHz (Typ)
最大直流電集電極電流:0.1 A
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:30 V
集電極—基極電壓 VCBO:30 V
晶體管極性:PNP
配置:Single
RoHS:是
產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Infineon

以上是BC 858B E6327的詳細信息,包括BC 858B E6327廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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