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BC856BDW1T3

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: SOT-363
數(shù)量：: 6894
說明：: 兩極晶體管 - BJT SS GP XSTR PNP 65V

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BC856BDW1T3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：10000
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：380 mW
集電極連續(xù)電流：- 100 mAdc
封裝形式：SOT-363
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：150 at 10 uA at 5 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：100 MHz
最大直流電集電極電流：0.1 A
集電極—射極飽和電壓：- 65 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：- 65 V
集電極—基極電壓 VCBO：- 80 V
晶體管極性：PNP
配置：Dual
RoHS：否
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

以上是BC856BDW1T3的詳細(xì)信息，包括BC856BDW1T3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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