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BC 808-25 E6327

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-SOT23
數(shù)量：: 5283
說明：: 兩極晶體管 - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR

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BC 808-25 E6327 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
供應(yīng)商器件：
封裝封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：200MHz
功率 - 最大值：330 mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：160 @ 100mA，1V
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：25 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：500 mA
晶體管類型：PNP
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Infineon Technologies

以上是BC 808-25 E6327的詳細(xì)信息，包括BC 808-25 E6327廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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