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BC556BU

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-92
數(shù)量:
 3096  
說明:
 兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
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BC556BU-TO-92圖片

BC556BU PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:1000
包裝形式:Bulk
最小工作溫度:- 65 C
最大功率耗散:0.5 W
直流電流增益 hFE 最大值:800
集電極連續(xù)電流:- 0.1 A
封裝形式:TO-92
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:110
增益帶寬產(chǎn)品fT:150 MHz
最大直流電集電極電流:0.1 A
集電極—射極飽和電壓:- 65 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 65 V
集電極—基極電壓 VCBO:- 80 V
晶體管極性:PNP
配置:Single
RoHS:是
產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是BC556BU的詳細信息,包括BC556BU廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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