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BAS316,H3F

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: USC
數(shù)量：: 5184
說明：: DIODE GEN PURP 100V 250MA USC

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BAS316,H3F PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：USC
封裝/外殼：SC-76，SOD-323
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容：0.35pF @ 0V，1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：200 nA @ 80 V
反向恢復(fù)時間 (trr)：3 ns
速度：快速恢復(fù) = 200mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.25 V @ 150 mA
電流 - 平均整流 (Io)：250mA
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：100 V
技術(shù)：標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是BAS316,H3F的詳細(xì)信息，包括BAS316,H3F廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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