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BAS116E6433HTMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-SOT23
數(shù)量：: 6624
說明：: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23

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BAS116E6433HTMA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：PG-SOT23
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容：2pF @ 0V，1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：5 nA @ 75 V
反向恢復(fù)時間 (trr)：1.5 μs
速度：標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.25 V @ 150 mA
電流 - 平均整流 (Io)：250mA
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：80 V
技術(shù)：標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品狀態(tài)：不適用于新設(shè)計
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Infineon Technologies

以上是BAS116E6433HTMA1的詳細(xì)信息，包括BAS116E6433HTMA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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