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B66302G0000X149

廠家：: EPCOS
封裝：
數(shù)量：: 549
說明：: EMI/RFI 抑制器及鐵氧體 E 8.8 N49 400 '+30%-20%

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B66302G0000X149 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
控制特性：
寬度長度：0.354（9.00mm）
高度：0.161（4.10mm）
表面：無涂層
有效磁體體積 (Ve) mm3：78
最小磁心橫截面 (Amin)?mm2：3.6
有效面積 (Ae) mm2：5
有效長度 (le) mm：15.5
磁心因數(shù) (ΣI/A) mm1：3.1
初始磁導(dǎo)率 (μi)：1500
有效磁導(dǎo)率 (μe)：760
間隙：無缺口
容差：-20%，+30%
電感因數(shù) (Al)：-
直徑：-
材料：N49
封裝：E 8 x 8
磁心類型：E
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：E8.8/4/2
系列：盒
品牌：EPCOS - TDK Electronics

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