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B66283P0000X149

廠家:
  EPCOS
封裝:
 
數(shù)量:
 8928  
說明:
 EMI/RFI 抑制器及鐵氧體 I18/2/10 N49OL
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B66283P0000X149 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
控制特性:
寬度長度:0.709(18.00mm)
高度:0.079(2.00mm)
表面:無涂層
有效磁體體積 (Ve) mm3:802
最小磁心橫截面 (Amin)?mm2:38.9
有效面積 (Ae) mm2:39.5
有效長度 (le) mm:20.3
磁心因數(shù) (ΣI/A) mm1:0.51
初始磁導(dǎo)率 (μi):1500
有效磁導(dǎo)率 (μe):860
間隙:無缺口
容差:±25%
電感因數(shù) (Al):2.1 μH
直徑:-
材料:N49
封裝:I 18 x 2 x 10
磁心類型:I
產(chǎn)品狀態(tài):停產(chǎn)
包裝:-
系列:盒
品牌:EPCOS - TDK Electronics

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