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B65813J0000R049

廠家：: EPCOS
封裝：
數(shù)量：: 5157
說明：: EMI/RFI 抑制器及鐵氧體 RM10 N49 2900 '+30%-20%

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B65813J0000R049 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
控制特性：
寬度長度：1.122（28.50mm）
高度：0.368（9.35mm）
表面：無涂層
有效磁體體積 (Ve) mm3：4310
最小磁心橫截面 (Amin)?mm2：90
有效面積 (Ae) mm2：98
有效長度 (le) mm：44
磁心因數(shù) (ΣI/A) mm1：0.45
初始磁導率 (μi)：1500
有效磁導率 (μe)：1040
間隙：無缺口
容差：-20%，+30%
電感因數(shù) (Al)：2.9 μH
直徑：-
材料：N49
封裝：RM 10
磁心類型：RM
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：RM10
系列：盒
品牌：EPCOS - TDK Electronics

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